LATENCIA: Es el retardo en nanosegundos para acceder a una celda de datos internamente los datos en la memoria se organizan por filas, columnas y tableros. Por eso el valor se especifica con 3 números distintos. Cuando accedes a un dato tienes la latencia, que es por fila, otra que es por columna, así como otra por tablero. Obviamente entre más pequeños son estos valores mejor y mas rápida es la memoria.
TIEMPO DE ACCESO: Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se lanza la operación de lectura en la memoria y el instante en que se lanza la operación de lectura en la memoria y el instante en que se dispone de la primera información buscada. En la memoria principal, este tiempo es, en principio, independiente de la dirección en la que se encuentre la información a la cual queremos acceder.
BUFFER: El buffer es la parte de la memoria RAM que utiliza el sistema operativo o algún software para realizar un trabajo o proceso mas rápido. El buffer en una computadora, es el proceso que realiza el hardware o el software para realizar algún trabajo más rápidamente sin necesidad de recurrir a la lectura o escritura.
PARIDAD: Consiste en añadir a la (edo o bedo) un chip que realiza una operación con los datos cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado, se ha producido un error y los datos ya no son fiables. Dicho así, parece una ventaja, sin embargo el ordenador solo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige.
ESTRUCTURA FISICA: En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides de ferrita, la corriente polariza la ferrita. Mientras esta queda polarizada el sistema puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes no es posible acceder. Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por válvulas de vacion, transistores y en las últimas generaciones por un material solido dieléctrico. Dicho estado solido dieléctrico tipo DRAM permite que se pueda tanto leer como escribir informacion.
VOLÁTIL Y ALEATORIA: Es aleatoria porque se puede acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes y se dice que es volátil porque cuando se le quita la energía (la alimentación de voltaje) se borra lo que estaba almacenado.
Almacenamiento: El medio de almacenamiento mas común es el disco magnético el propósito de guardar datos en la memoria es que tiene una mayor cantidad de espacio para guardar datos.
Tipos de Memoria RAM: Son dos: síncronas y asíncrona (Síncronas: que están en sincronía con el procesador, Asíncronas: que no están sincronizadas con el procesador.)
Módulos (DIP, SIPP, SIMM, DIMM, RIMM):
- Modulo DIP (DUAL INLINE PACKAGE): Encapsulados en plásticos y cerámica Modelo mas antiguo Se instalaba directamente sobre zócalos o soldados.
- Modulo SIP (SINGLE INLINE PACKAGE): Pequeñas placas rectangulares de fibra de vidrio o baquelita. Se insertan en un zócalo especial situado en la placa base. Riesgo de rotura de los pines Solo perduraron los módulos de 30 contactos Son iguales a los SIMM de 30 contactos.
- Modulo SIMM (SINGLE IN LINE MEMORIA MODULE): Estos módulos tenían los contactos en una sola de sus caras y podían ser de 30 contactos (los primeros), que posteriormente pasaron a ser de 72 contactos. Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
- Modulo DIMM (Dual In-line Memory Module): Es el tipo de memoria que se sigue utilizando en la actualidad. Esta clasificación se refiere exclusivamente a la posición de los contactos.
- Modulo RIMM (RAMBUS IN LINE MEMORIA MODULE): Cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del modulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz.
Módulos para Portátiles: SO-DIMM, MICRODIMM y SO-RIMM.
-So-DIMM: Consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales, cuentan con 144 contactos y tienen un tamaño de aproximadamente la mitad de un modulo SIMM.
-MicroDIMM: Es el más pequeño de la familia DIMM, tiene 214 pines.
- So-RIMM: Está diseñado exclusivamente para computadores portátiles ya que sus módulos son mas compactos que la de la RIMM.
Tecnologías de Memoria RAM
a). Memorias asíncronas
- DRAM (Dynamic Random Access Memory): Se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera; el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj externa. La memoria SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar velocidades de 10 ns. Se presenta en módulos DIMM de 168 contactos.
- FPM (Fast Page Mode) ~RAM: El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos (Byte/Word/Dword) consecutivos. Se presentaba en módulos SIMM (Single In-line Memory Module) de 30 contactos a 16 bits para los 386 y 486 y en módulos de 72 contactos.
- EDO (Extended Data Output) ~RAM: Los datos en la memoria fluyen con más rapidez porque el tiempo de transición de la señal CAS puede condensarse dando un mayor flujo de datos por unidad de tiempo. Utiliza la misma tecnología que la FPM con una ligera modificación en el ciclo de acceso que aumenta su desempeño de un 5% a 20%. Se presenta en módulos SIMM de 72 contactos a 32 bits y módulos DIMM de 168 contactos de 64 bits.
- BEDO (Burst Extended Data Output) ~RAM: Lee los datos en ráfagas, lo cual significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se lee los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, lo que se traduce en 5-1-1-1 ciclos máquina el ciclo de lectura de 4 datos.
b). Memorias Síncronas.
SDR SDRAM: Tipo de datos solo puede aceptar un comando y la transferencia de una palabra de datos por ciclo de reloj. Las frecuencias de reloj típicas son 100 y 133 MHz. Chips están hechos con una variedad de tamaños de bus de datos (el más común 4, 8 ó 16 bits), pero los chips son generalmente montados en módulos DIMM de 168 pines.
- PC66: 64 bits, 168 contactos, frecuencia de reloj de 66,66 MHz y con modulo DIMM (144 contactos en modulo SODIMM).
- PC100: Cuenta con 168 pines y con modulo DIMM.
- PC133: Una frecuencia de reloj de 133 MHz, 168 contactos, ancho de banda de 1066 MB por segundo y con modulo DIMM.
DDR SDRAM: Con datos que se transfieren 64 bits a la vez, una velocidad de transferencia máxima de 1600 MB / s y con modulo DIMM.
- PC 1600 o DDR200: Con una frecuencia de bus de 100 MHz, se transfieren 64 bits a la vez, con 184 contactos y con módulos DIMM.
- PC 2100 o DDR266: La memoria del reloj 133 MHz, El tiempo del ciclo 7.5 ns, velocidad de datos 266 Mhz, de 184 contactos y con módulos DIMMs.
- PC 2700 o DDR333: La memoria del reloj 166 MHz, El tiempo del ciclo 6 ns, velocidad de datos 333 MHz, con 184 contactos y módulos DIMMs.
- PC 3200 o DDR400: La memoria del reloj 200 MHz, El tiempo del ciclo 5 ns, Velocidad de datos 200 MHz, con 184 contactos y módulos DIMMs.
- PC~4200 o DDR2~533: La memoria del reloj 133 MHz, El tiempo del ciclo 7.5 ns, velocidad de datos 4264 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.
- PC~4800 o DDR2~600: La memoria del reloj 150 MHz, el tiempo del ciclo 6,7 ns, velocidad de datos 4800 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.
- PC~5300 o DDR2~667: La memoria del reloj 166 MHz, el tiempo del ciclo 6 ns, velocidad de datos 5336 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.
- PC~6400 o DDR2~800: La memoria del reloj 200 MHz, el tiempo del ciclo 5 ns, velocidad de datos 6400 MB/s, con 240 contactos y con módulos DIMMs.
DDR3: Velocidad del reloj 250 MHz, tiempo entre señales 4 ns, velocidad del reloj de E/S 1000 MHz, velocidad de datos 1600 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.
c). - RDRAM: Su ancho de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz.Cuenta con 184 contactos y módulos RIMM.
- XDR DRAM: Soportan una capacidad máxima de 1 GB, velocidad del reloj: 400 MHz, 600 MHz, 800 MHz y 1 GHz y cuenta con una producción de datos: 8 bites por frente de reloj o sea 3,2 Gbit/s a 400MHz.
- XDR2 DRAM: Frecuencia más alta (hasta 800 MHz, transferencia de 16 bits por pasador por ciclo de reloj).
d). DRDRAM: Se basa en lo que se llama Direct Rambus Channel, una alta velocidad de 16-bit bus funciona a una velocidad de reloj de 400 MHz. Las transferencias se llevan a cabo en los bordes de subida y bajada del reloj, dando un ancho de banda efectivo teórico de aproximadamente 1,6 Gbytes por segundo.
e). SLDRAM: Funciona a velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de 800MB/s, llegando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia. Se cree que puede ser la memoria a utilizar en los grandes servidores por la alta transferencia de datos.
f). SRAM: Transferencias de hasta 16Mbit por chip. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos.
ASYNC SRAM: La antigua caché de los 386, 486 y primeros Pentium, más rápida que la DRAM pero que provoca igualmente estados de espera en el procesador. Su velocidad es de 20 ns, 15 ns 0 12 ns y son independientes de la frecuencia de reloj.
SYNC SRAM: Tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj, velocidades de reloj 66Mhz (todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema), velocidad de acceso, 4.5 a 8 nanosegundos.
PIPELINED SRAM: Funciona de manera continuada sincronizada con el procesador a velocidades de hasta 133 MHz. Tarda un poco más en cargar los datos que la anterior, pero una vez cargados, el procesador puede acceder a ellos con más rapidez. Su velocidad es de 4.5 ns a 8 ns.
g). EDRAM: Tiempo de 35 ns, tiempo de lectura aleatoria de 15 nanosegundos.
h). ESDRAM: Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s.
i). VRAM: Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo tiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica, para suavizar la presentación gráfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismo tiempo.
j). SGRAM: Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). Es el tipo de memoria más popular en las nuevas tarjeta gráficas aceleradoras 3D.
k). WRAM: Permite leer y escribir información de la memoria al mismo tiempo, como en la VRAM, pero está optimizada para la presentación de un gran número de colores y para altas resoluciones de pantalla.
Reptilia
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